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    Microcrystal晶振,CC4V-T1A-32.768kHz-12.5pF-20PPM-TA-QC晶振,CC4V-T1A晶振,無鉛環(huán)保晶體

  • 編號:16093823
  • 頻率:32.768KHZ
  • 尺寸:5.0*1.9*0.9mm
  • RoHS
  • RoHS2
貼片晶振本身體積小,超薄型石英晶體諧振器,特別適用于有目前高速發(fā)展的高端電子數(shù)碼產(chǎn)品,因為貼片晶振本身小型化需求的市場領(lǐng)域,小型,薄型是對應(yīng)陶瓷諧振器和普通的石英晶體諧振器(偏差小)的中間領(lǐng)域的一種性價比較...
     Microcrystal晶振,CC4V-T1A-32.768kHz-12.5pF-20PPM-TA-QC晶振,CC4V-T1A晶振,無鉛環(huán)保晶體,貼片石英晶體,體積小,焊接可采用自動貼片系統(tǒng),產(chǎn)品本身小型,表面貼片晶振,特別適用于有小型化要求的電子數(shù)碼產(chǎn)品市場領(lǐng)域,因產(chǎn)品小型,薄型優(yōu)勢,耐環(huán)境特性,包括耐高溫,耐沖擊性等,在移動通信領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用,晶振產(chǎn)品本身可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.
  石英晶振真空退火技術(shù):晶振高真空退火處理是消除貼片晶振在加工過程中產(chǎn)生的應(yīng)力及輕微表面缺陷.在PLC控制程序中輸入已設(shè)計好的溫度曲線,使真空室溫度跟隨設(shè)定曲線對晶體組件進(jìn)行退火,石英晶振通過合理的真空退火技術(shù)可提高晶振主要參數(shù)的穩(wěn)定性,以及提高石英晶振的年老化特性.
  微晶,1978年成立于瑞士格倫興,為Swatch Group的供貨商,提供手表音叉式晶體的產(chǎn)品.而今,微晶已經(jīng)發(fā)展成為一家在微型音叉式壓電石英晶體(32kHz ~ 250MHz),實時時鐘模塊,無源晶振和OCXO等多個領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)供貨商,為世界一流的終端產(chǎn)品制造商提供從設(shè)計到量產(chǎn)的全方位支持,服務(wù)范圍涵蓋手機(jī),計算機(jī),汽車電子,手表,工業(yè)控制,植入式醫(yī)療及其他高可靠性產(chǎn)品.
Microcrystal晶振 單位 CC4V-T1A晶振 石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率 f_nom 32.768KHZ 標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲存溫度 T_stg -55°C~+125°C 裸存
工作溫度 T_use -40℃~+85℃ 標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵功率 DL 1.0μW Max. 推薦:100μW ~ 300μW
頻率公差 f_— l ±20ppm
±100ppm
+25°C 對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明,
請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息, http://www.fuleikeji.cn/
頻率溫度特征 f_tem ±50× 10-6 /-30°C~+85°C 超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們.
負(fù)載電容 CL 6.0pF
7.0pF

9.0pF
10.0pF
12.5pF
不同負(fù)載要求,請聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR) R1 如下表所示 -10°C— +60°C, DL = 100μW
頻率老化 f_age ±5 × 10-6 / year Max. +25°C,第一年

     PCB設(shè)計指導(dǎo)
(1)理想情況下,機(jī)械蜂鳴器應(yīng)安裝在一個獨立于音叉晶體器件的PCB板上.如果您安裝在同一個PCB板上,好使用余量或切割PCB.當(dāng)應(yīng)用于PCB板本身或PCB板體內(nèi)部時,機(jī)械振動程度有所不同.建議遵照內(nèi)部板體特性.
(2)在設(shè)計時請參考相應(yīng)的推薦封裝.
(3)在使用焊料助焊劑時,按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JISC60068-2-20/IEC60,068-2-20).來使用.
(4)請按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JISZ3282,Pb含量1000ppm,0.1wt%或更少)來使用無鉛焊料.
     存儲事項
(1)在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長時間保存進(jìn)口晶振產(chǎn)品時,會影響頻率穩(wěn)定性或焊接性.請在正常溫度和濕度環(huán)境下保存這些晶體產(chǎn)品,并在開封后盡可能進(jìn)行安裝,以免長期儲藏.
正常溫度和濕度:溫度:+15°C至+35°C,濕度25%RH至85%RH(請參閱“測試點JISC60068-1/IEC60068-1的標(biāo)準(zhǔn)條件”章節(jié)內(nèi)容).
(2)請仔細(xì)處理內(nèi)外盒與卷帶.外部壓力會導(dǎo)致卷帶受到損壞.
     耐焊性
加熱包裝材料至+150°C以上會破壞產(chǎn)品特性或損害石英晶體諧振器.如需在+150°C以上焊接晶體產(chǎn)品,建議使用SMD晶體.在下列回流條件下,對晶體產(chǎn)品甚至SMD晶振使用更高溫度,會破壞產(chǎn)品特性.建議使用下列配置情況的回流條件.安裝這些產(chǎn)品之前,應(yīng)檢查焊接溫度和時間.同時,在安裝條件更改的情況下,請再次進(jìn)行檢查.如果需要焊接的晶體產(chǎn)品在下列配置條件下進(jìn)行焊接,請聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息.
      微晶晶振所有的經(jīng)營組織都將積極應(yīng)用國際標(biāo)準(zhǔn)以及適用的法律法規(guī),為促進(jìn)合理有效的公共政策的制訂實施加強(qiáng)戰(zhàn)略聯(lián)系.消除事故和環(huán)境方面的偶發(fā)事件,減少廢物的產(chǎn)生和排放,有效的使用能源和各種自然資源,對緊急事件做好充分準(zhǔn)備,以便及時做出反應(yīng).
      微晶晶振集團(tuán)將確保其產(chǎn)品及相關(guān)設(shè)施滿足甚至超出國家的,州立的以及地方環(huán)保機(jī)構(gòu)的相關(guān)法規(guī)規(guī)定及其他要求,同時該公司盡可能的參與并協(xié)助政府機(jī)關(guān)和其他官方組織從事的環(huán)保活動. 在地方對各項設(shè)施的管理責(zé)任中,確保滿足方針的目標(biāo)指標(biāo),同時在各種經(jīng)營與生產(chǎn)活動中完全遵守并符合現(xiàn)行所有標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范的要求.
      微晶晶振集團(tuán)實施創(chuàng)新戰(zhàn)略,提高自主創(chuàng)新能力,確保公司可持續(xù)發(fā)展.實施節(jié)約戰(zhàn)略,提高建設(shè)節(jié)約環(huán)保型企業(yè)能力,確保實現(xiàn)節(jié)能環(huán)保規(guī)劃目標(biāo).
      微晶晶振,貼片環(huán)保晶振,石英晶體振蕩器在'制造,使用,有效利用,再利用'這樣一個產(chǎn)品生命周期中,努力創(chuàng)造豐富的價值,給社會帶來溫馨和安寧,感動和驚喜,同時為減少環(huán)境影響,努力做好'防止地球變暖,有效利用資源,對化學(xué)物質(zhì)進(jìn)行管理',實現(xiàn)與地球的和諧相處.
 

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