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首頁歐美晶振ILSI晶振,IL3W晶振,進(jìn)口音叉晶體

ILSI晶振,IL3W晶振,進(jìn)口音叉晶體

編號：50100033
頻率：32.768KHZ
尺寸：1.6*1.0*0.5mm

32.768K時鐘晶體具有小型,薄型,輕型的貼片晶振表面音叉型晶體諧振器,產(chǎn)品具有優(yōu)良的耐熱性,耐環(huán)境特性,可發(fā)揮晶振優(yōu)良的電氣特性,符合RoHS規(guī)定,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求,金屬外殼的封裝使得產(chǎn)品在封裝時能...

ILSI晶振,IL3W晶振,進(jìn)口音叉晶體,貼片石英晶體,體積小,焊接可采用自動貼片系統(tǒng),產(chǎn)品本身小型,表面貼片晶振,特別適用于有小型化要求的電子數(shù)碼產(chǎn)品市場領(lǐng)域,因產(chǎn)品小型,薄型優(yōu)勢,耐環(huán)境特性,包括耐高溫,耐沖擊性等,在移動通信領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用,晶振產(chǎn)品本身可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.

　　晶振的真空封裝技術(shù):是指石英晶振在真空封裝區(qū)域內(nèi)進(jìn)行封裝.1.防止外界氣體進(jìn)入組件體內(nèi)受到污染和增加應(yīng)力的產(chǎn)生;2.使進(jìn)口晶振組件在真空下電阻減小;3.氣密性高.此技術(shù)為研發(fā)及生產(chǎn)超小型、超薄型石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一.

　　ILSI America成立于1987年,其使命是成為世界級的ILSI供應(yīng)商.頻率控制產(chǎn)品.通過有機(jī)增長和戰(zhàn)略收購,美國ILSI 現(xiàn)在是廣泛設(shè)計,制造和供應(yīng)的全球領(lǐng)導(dǎo)者,涵蓋四個品牌的組件:ILSI,MMD,Ecliptek和Oscilent.美國ILSI滿足廣泛的要求,滿足OEM和CEM的嚴(yán)格標(biāo)準(zhǔn).通過以下產(chǎn)品在許多垂直市場的客戶:壓電石英晶體,石英振蕩器,MEMS振蕩器,TCXO,VCXO,OCXO,濾波器和諧振器.

ILSI晶振	單位	IL3W晶振	石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率	f_nom	32.768KHZ	標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲存溫度	T_stg	-55°C～+125°C	裸存
工作溫度	T_use	-40°C～+85°C	標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵功率	DL	100μW Max.	推薦:100μW ～ 300μW
頻率公差	f_— l	±20ppm	+25°C 對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, 請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息, http://www.fuleikeji.cn/
頻率溫度特征	f_tem	±50× 10^-6 /-30°C～+85°C	超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們.
負(fù)載電容	CL	7.0，9.0，12.5pF	不同負(fù)載要求,請聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R₁	如下表所示	-10°C— +60°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±5 × 10^-6 / year Max.	+25°C,第一年

自動安裝時的沖擊

自動安裝和真空化引發(fā)的沖擊會破壞產(chǎn)品特性并影響這些進(jìn)口晶體振蕩器.請設(shè)置安裝條件以盡可能將沖擊降至最低,并確保在安裝前未對產(chǎn)品特性產(chǎn)生影響.條件改變時,請重新檢查安裝條件.同時,在安裝前后,請確保石英32.768K晶振未撞擊機(jī)器或其他電路板等.

負(fù)載電容

振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計頻率之間產(chǎn)生偏差.試圖通過強(qiáng)力調(diào)整,可能只會導(dǎo)致不正常的振蕩.在使用之前,請指明該振動電路的負(fù)載電容(請參閱“負(fù)載電容”章節(jié)內(nèi)容).晶體振蕩器和實時時鐘模塊所有石英晶體振蕩器和實時時鐘模塊都以IC形式提供.

存儲事項

(1)在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長時間保存進(jìn)口高精密晶振產(chǎn)品時,會影響頻率穩(wěn)定性或焊接性.請在正常溫度和濕度環(huán)境下保存這些晶體產(chǎn)品,并在開封后盡可能進(jìn)行安裝,以免長期儲藏.正常溫度和濕度:溫度:+15°C至+35°C,濕度25%RH至85%RH(請參閱“測試點JISC60068-1/IEC60068-1的標(biāo)準(zhǔn)條件”章節(jié)內(nèi)容).

(2)請仔細(xì)處理內(nèi)外盒與卷帶.外部壓力會導(dǎo)致卷帶受到損壞.

耐焊性

加熱包裝材料至+150°C以上會破壞產(chǎn)品特性或損害諧振器.如需在+150°C以上焊接晶體產(chǎn)品,建議使用SMD晶振.在下列回流條件下,對晶體產(chǎn)品甚至1.6x1.0晶振使用更高溫度,會破壞產(chǎn)品特性.建議使用下列配置情況的回流條件.安裝這些產(chǎn)品之前,應(yīng)檢查焊接溫度和時間.同時,在安裝條件更改的情況下,請再次進(jìn)行檢查.如果需要焊接的晶體產(chǎn)品在下列配置條件下進(jìn)行焊接,請聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息.

ILSI集團(tuán)將有效率的使用自然資源和能源,以便從源頭減少廢物產(chǎn)生和排放.我們將在關(guān)注于預(yù)防環(huán)境和安全事故,保護(hù)公眾健康的同時,努力改進(jìn)我們的操作.我公司將積極參與加強(qiáng)公眾環(huán)境、健康和安全意識的活動,提高公眾對普遍的環(huán)境、健康和安全問題的注意. 環(huán)境政策,在其業(yè)務(wù)活動的所有領(lǐng)域,從開發(fā)、生產(chǎn)和銷售的壓電石英晶體元器件、壓電石英晶體、有源晶體、壓電陶瓷諧振器,集團(tuán)業(yè)務(wù)政策促進(jìn)普遍信任的環(huán)境管理活動.

ILSI晶振所有的經(jīng)營組織都將積極應(yīng)用國際標(biāo)準(zhǔn)以及適用的法律法規(guī).為促進(jìn)合理有效的公共政策的制訂實施加強(qiáng)戰(zhàn)略聯(lián)系.消除事故和環(huán)境方面的偶發(fā)事件,減少廢物的產(chǎn)生和排放,有效的使用能源和各種自然資源,對緊急事件做好充分準(zhǔn)備,以便及時做出反應(yīng).

對我們的產(chǎn)品進(jìn)行檢驗,同時告知我們的員工顧客以及公眾,如何安全的使用,如何使用對環(huán)境影響較小,幫助我們的雇員合同方商業(yè)伙伴服務(wù)提供上理解他們的行為如何影響著環(huán)境.公司的各項能源、資源消耗指標(biāo)和排放指標(biāo)達(dá)到國內(nèi)領(lǐng)先、國際先進(jìn)水平.

ILSI晶振集團(tuán)實施創(chuàng)新戰(zhàn)略,提高自主創(chuàng)新能力,確保公司可持續(xù)發(fā)展.實施節(jié)約戰(zhàn)略,提高建設(shè)節(jié)約環(huán)保型企業(yè)能力,確保實現(xiàn)節(jié)能環(huán)保規(guī)劃目標(biāo).

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