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首頁(yè)進(jìn)口晶振 KDS晶振大真空晶體,DSX221G通信設(shè)備晶振,1ZNA16000AB0P晶振

大真空晶體,DSX221G通信設(shè)備晶振,1ZNA16000AB0P晶振

編號(hào)：59900036
頻率：16MHZ
尺寸：2.5*2.0mm

大真空晶體,DSX221G通信設(shè)備晶振,1ZNA16000AB0P晶振，型號(hào)DSX221G，頻率16MHZ，負(fù)載9pf,精度10ppm.小型貼片石英晶振,外觀尺寸具有薄型表面貼片型石英晶體振蕩器,特別適用于有小型化要求的市場(chǎng)領(lǐng)域,比如智能手機(jī),無(wú)線藍(lán)...

大真空晶體,DSX221G通信設(shè)備晶振,1ZNA16000AB0P晶振，型號(hào)DSX221G，頻率16MHZ，負(fù)載9pf,精度10ppm.小型貼片石英晶振,外觀尺寸具有薄型表面貼片型石英晶體振蕩器,特別適用于有小型化要求的市場(chǎng)領(lǐng)域,比如智能手機(jī),無(wú)線藍(lán)牙,平板電腦等電子數(shù)碼產(chǎn)品.SMD晶振本身超小型,薄型,重量輕,晶體具有優(yōu)良的耐環(huán)境特性,如耐熱性,耐沖擊性,在辦公自動(dòng)化,家電相關(guān)電器領(lǐng)域及Bluetooth,WirelessLAN等短距離無(wú)線通信領(lǐng)域可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無(wú)鉛焊接的回流溫度曲線要求.
大真空晶體,DSX221G通信設(shè)備晶振,1ZNA16000AB0P晶振，貼片晶振晶片邊緣處理技術(shù):貼片晶振是晶片通過(guò)滾筒倒邊,主要是為了去除石英晶振晶片的邊緣效應(yīng),在實(shí)際操作中機(jī)器運(yùn)動(dòng)方式設(shè)計(jì)、滾筒的曲率半徑、滾筒的長(zhǎng)短、使用的研磨砂的型號(hào)、多少、填充物種類及多少等各項(xiàng)設(shè)計(jì)必須合理,有一項(xiàng)不完善都會(huì)使晶振晶片的邊緣效應(yīng)不能去除,而石英晶振晶片的諧振電阻過(guò)大,用在電路中Q值過(guò)小,從而電路不能振動(dòng)或振動(dòng)了不穩(wěn)定.

大真空晶體,DSX221G通信設(shè)備晶振,1ZNA16000AB0P晶振，日本大真空晶振成立于1959年,從事電子元器件和電子設(shè)備的制造和銷售,主要的產(chǎn)品有石英晶體諧振器:晶體為消費(fèi)類電子產(chǎn)品、工業(yè)水晶音叉晶體諧振器:音叉晶體時(shí)鐘,進(jìn)口晶振.晶體振蕩器:SPXO(簡(jiǎn)單打包的晶體振蕩器),TCXO(溫度補(bǔ)償晶體振蕩器),VCXO(壓控晶體振蕩器).努力繼續(xù)創(chuàng)造利潤(rùn)和履行企業(yè)社會(huì)責(zé)任,實(shí)現(xiàn)以顧客為中心、創(chuàng)新、高效的企業(yè)管理,“依賴”是我們公司的政策.

項(xiàng)目	型名	DSX221G
周波數(shù)範(fàn)囲		16MHz
オーバトーン次數(shù)		Fundamental
負(fù)荷容量		9pF
勵(lì)振レベル		10μW（200μW max.）
周波數(shù)許容偏差		±10×10−6, ±20×10−6, ±30×10−6, ±50×10−6 （at 25℃）
直列抵抗		250Ω max.	150Ω max.	100Ω max.	80Ω max.	60Ω max.
周波數(shù)溫度特性		±8×10−6, ±20×10−6, ±30×10−6, ±50×10−6 / −10 ~＋60℃（Ref. to 25℃）
		±12×10−6, ±20×10−6, ±30×10−6, ±50×10−6 / −20 ~＋70℃（Ref. to 25℃）
		±15×10−6, ±20×10−6, ±30×10−6, ±50×10−6 / −30 ~＋85℃（Ref. to 25℃）
保存溫度範(fàn)囲		−40 ~＋85℃
梱包単位		3000pcs./reel（φ180）

激勵(lì)功率

在SMD晶振上施加過(guò)多驅(qū)動(dòng)力,會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品特性受到損害或破壞.電路設(shè)計(jì)必須能夠維持適當(dāng)?shù)募?lì)功率（請(qǐng)參閱“激勵(lì)功率”章節(jié)內(nèi)容）.

負(fù)極電阻

除非石英晶體振蕩器回路中分配足夠多的負(fù)極電阻,否則振蕩或振蕩啟動(dòng)時(shí)間可能會(huì)增加（請(qǐng)參閱“關(guān)于振蕩”章節(jié)內(nèi)容）.

負(fù)載電容

有源晶振振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差.試圖通過(guò)強(qiáng)力調(diào)整,可能只會(huì)導(dǎo)致不正常的振蕩.在使用之前,請(qǐng)指明該振動(dòng)電路的負(fù)載電容（請(qǐng)參閱“負(fù)載電容”章節(jié)內(nèi)容）. 大真空晶體,DSX221G通信設(shè)備晶振,1ZNA16000AB0P晶振.

機(jī)械振動(dòng)的影響

當(dāng)晶振產(chǎn)品上存在任何給定沖擊或受到周期性機(jī)械振動(dòng)時(shí),比如：壓電揚(yáng)聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會(huì)受到影響.這種現(xiàn)象對(duì)通信器材通信質(zhì)量有影響.盡管SMD晶振產(chǎn)品設(shè)計(jì)可最小化這種機(jī)械振動(dòng)的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進(jìn)行操作.

抗沖擊

抗沖擊是指晶振產(chǎn)品可能會(huì)在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過(guò)程中受到?jīng)_擊.如果產(chǎn)品已受過(guò)沖擊請(qǐng)勿使用.因?yàn)闊o(wú)論何種石英晶振,其內(nèi)部晶片都是貼片石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會(huì)給晶振照成不良影響.

存儲(chǔ)事項(xiàng)

(1) 在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長(zhǎng)時(shí)間保存晶振時(shí),會(huì)影響頻率穩(wěn)定性或焊接性.請(qǐng)?jiān)谡囟群蜐穸拳h(huán)境下保存這些進(jìn)口貼片晶振產(chǎn)品,并在開(kāi)封后盡可能進(jìn)行安裝,以免長(zhǎng)期儲(chǔ)藏.

正常溫度和濕度:

溫度:+15°C 至 +35°C,濕度 25 % RH 至 85 % RH（請(qǐng)參閱“測(cè)試點(diǎn)JIS C 60068-1 / IEC 60068-1的標(biāo)準(zhǔn)條件”章節(jié)內(nèi)容）.

(2) 請(qǐng)仔細(xì)處理內(nèi)外盒與卷帶.外部壓力會(huì)導(dǎo)致卷帶受到損壞.

大真空晶體,DSX221G通信設(shè)備晶振,1ZNA16000AB0P晶振，在日本大真空晶振公司致力于促進(jìn)社會(huì)的可持續(xù)發(fā)展通過(guò)我們的業(yè)務(wù)活動(dòng)與環(huán)境和諧相處,認(rèn)識(shí)到環(huán)境保護(hù)活動(dòng),我們的一個(gè)重要的管理政策.

電子產(chǎn)品正在經(jīng)歷快速發(fā)展,帶來(lái)更多的財(cái)富和方便的日常生活.后從環(huán)保和顯著節(jié)能的混合動(dòng)力汽車,電動(dòng)汽車充電,可以很容易地在家里也被商業(yè)化了.我們看到計(jì)劃被世界各地建立環(huán)保智能城市減少環(huán)境負(fù)荷,專注于智能電網(wǎng)和智能房屋,有效控制流的可再生能源.使用的智能手機(jī)背后的推動(dòng)力量實(shí)現(xiàn)無(wú)處不在的網(wǎng)絡(luò)社會(huì)繼續(xù)擴(kuò)張.我們生產(chǎn)和銷售SMD石英晶體，貼片無(wú)源晶振設(shè)備包含在這樣的應(yīng)用程序中,我們希望看到新創(chuàng)建的市場(chǎng)需求增加.

作為一個(gè)群體,KDS晶振的每一個(gè)部分我們將繼續(xù)致力于努力向全球環(huán)境保護(hù)的過(guò)程中我們的業(yè)務(wù)活動(dòng),如水晶設(shè)備的開(kāi)發(fā)和生產(chǎn),通過(guò)適當(dāng)?shù)乜刂坪蜏p少對(duì)環(huán)境的負(fù)面影響的物質(zhì),通過(guò)促進(jìn)節(jié)約能源和減少二氧化碳的排放.

我們希望這環(huán)境報(bào)告將加深了解我們的環(huán)境保護(hù)活動(dòng).

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