百利通亞陶公司專注頻率元器件幾十年,在研發有源晶振方面很深的造詣,并且積累相當的經驗,作為一家具備創新能力的制造商.只為了把最好的品質帶給每一位用戶,竭盡所能,專心致志打磨自身的產品線,我們相信多樣性激發創新，并允許供應商開發更多創新產品和解決方案服務我們的業務需求。我們鼓勵與提供服務的多元化企業合作優質的產品和服務，以及有競爭力的價格。亞陶晶振ECERA品牌微型低損耗的時鐘振蕩器FJ2400002,是一款非常適合用于便攜式多媒體播放器

Diodes Incorporated 是一家在廣泛的分立、邏輯、模擬和混合信號半導體市場中提供高質量應用特定標準產品的全球領先制造商和供應商，宣布推出貼片有源晶振,以及PI4IOE5V6416 16 位 I/O 擴展器，它允許通過 I 2 C 接口訪問和控制任何數字設備，輸入和輸出電壓范圍為 1.8V 至 5V。PI4IOE5V6416 提供超低功耗解決方案，使用無處不在的 I 2 C 接口擴展微處理器、微控制器、ASSP、ASIC 或 FPGA 上的可用 GPIO。通過 16 個可單獨配置的 I/O，開發人員可以輕松添加 I 2與傳統外圍設備（如鍵盤、按鈕開關或數字傳感器）的 C 接口。I 2 C 總線同時符合快速和標準模式。

FKSSD1025	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ ASSP XO™	25MHz	±25ppm	-10°C ~ 70°C
FKSSD1025	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ ASSP XO™	25MHz	±25ppm	-10°C ~ 70°C
FKSSD1025	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ ASSP XO™	25MHz	±25ppm	-10°C ~ 70°C
UJWIFI026	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ ASSP XO™	26MHz	±20ppm	-30°C ~ 85°C
UJWIFI026	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ ASSP XO™	26MHz	±20ppm	-30°C ~ 85°C
UJWIFI026	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ ASSP XO™	26MHz	±20ppm	-30°C ~ 85°C
FNEPON125	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ ASSP XO™	125MHz	±50ppm	-20°C ~ 70°C
FNEPON125	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ ASSP XO™	125MHz	±50ppm	-20°C ~ 70°C
FNEPON125	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ ASSP XO™	125MHz	±50ppm	-20°C ~ 70°C
FK1330001Z	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FK	13.3333MHz	±25ppm	-40°C ~ 85°C
FK1330001Z	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FK	13.3333MHz	±25ppm	-40°C ~ 85°C
FK1330001Z	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FK	13.3333MHz	±25ppm	-40°C ~ 85°C
FJ2400011	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FJ	24MHz	±50ppm	-40°C ~ 85°C
FJ2400011	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FJ	24MHz	±50ppm	-40°C ~ 85°C
FJ2400011	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FJ	24MHz	±50ppm	-40°C ~ 85°C
FJ2400002	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FJ	24MHz	±50ppm	-40°C ~ 85°C
FJ2400002	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FJ	24MHz	±50ppm	-40°C ~ 85°C
FJ2400002	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FJ	24MHz	±50ppm	-40°C ~ 85°C
FN2500149	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FN	25MHz	±50ppm	-40°C ~ 85°C
FN2500149	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FN	25MHz	±50ppm	-40°C ~ 85°C
FN2500149	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FN	25MHz	±50ppm	-40°C ~ 85°C
SXGPON155	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ ASSP XO™	155.52MHz	±50ppm	-40°C ~ 85°C

PI4IOE5V6416 上的 16 個端口中的每一個都可以通過寫入相關寄存器來配置為輸入或輸出。所有 I/O 引腳都具有推/拉 FET 配置：當配置為輸入時，FET 關閉；當配置為輸出時，相應的 FET 提供到 VDD(P) 或 VSS 的低阻抗路徑。每個端口還具有可編程上拉或下拉電阻和可編程輸出電流。當配置為輸入時，還為每個引腳提供可編程鎖存器。
由于 PI4IOE5V6416 在主機和輸出之間提供靈活的雙向電壓電平轉換，因此它是連接工作電壓高達 5.5V 的傳統數字設備與工作電壓低至 1.65V 的現代主機的理想解決方案。亞陶晶振ECERA品牌微型低損耗的時鐘振蕩器FJ2400002,是一款非常適合用于便攜式多媒體播放器

SXGPON155	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ ASSP XO™	155.52MHz	±50ppm	-40°C ~ 85°C
SXGPON155	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ ASSP XO™	155.52MHz	±50ppm	-40°C ~ 85°C
HX2513F0026.000000	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ HX	26MHz	±50ppm	-40°C ~ 105°C
HX2513F0026.000000	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ HX	26MHz	±50ppm	-40°C ~ 105°C
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HX3125006Q	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ HX	25MHz	±30ppm	-40°C ~ 105°C
HX3125006Q	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ HX	25MHz	±30ppm	-40°C ~ 105°C
HX3125006Q	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ HX	25MHz	±30ppm	-40°C ~ 105°C
NX3211C0125.000000	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ NX	125MHz	±50ppm	-20°C ~ 70°C
NX3211C0125.000000	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ NX	125MHz	±50ppm	-20°C ~ 70°C
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FJ1600002	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FJ	16MHz	±50ppm	-20°C ~ 70°C
FJ1600002	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FJ	16MHz	±50ppm	-20°C ~ 70°C
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JX7011D0070.656000	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ JX	70.656MHz	±25ppm	-40°C ~ 85°C
JX7011D0070.656000	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ JX	70.656MHz	±25ppm	-40°C ~ 85°C
JX7011D0070.656000	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ JX	70.656MHz	±25ppm	-40°C ~ 85°C
UJ2600007Z	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ UJ	26MHz	±20ppm	-20°C ~ 70°C
UJ2600007Z	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ UJ	26MHz	±20ppm	-20°C ~ 70°C
UJ2600007Z	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ UJ	26MHz	±20ppm	-20°C ~ 70°C
FJ1120001Z	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FJ	11.2896MHz	±25ppm	-40°C ~ 85°C

亞陶晶振除了提供雙向電壓電平轉換和高度可配置的 I/O，PI4IOE5V6416 還提供可屏蔽的開漏低電平有效中斷輸出，可配置為觸發 16 個 GPIO 中任何一個的狀態變化。這個強大的功能有許多潛在的用途，可以使用特定條件來啟動系統級操作，從而避免主機不斷輪詢外圍設備。
PI4IOE5V6416 提供極低的待機電流消耗，5V 時僅為 1.5µA，3.3V 時僅為 1.0µA。以 400kHz 的 I 2 C 總線速度和 1.65 至 2.3V 的電源電壓連續讀取寄存器期間的有效電流消耗通常為 20µA（最大值為 45µA）。
PI4IOE5V6416 采用 24 引腳 TQFN (PI4IOE5V6416LE) 封裝或 24 引腳 TSSOP (PI4IOE5V6416ZDE) 封裝。

FJ1120001Z	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FJ	11.2896MHz	±25ppm	-40°C ~ 85°C
FJ1120001Z	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FJ	11.2896MHz	±25ppm	-40°C ~ 85°C
FDC500026	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FD	125MHz	±50ppm	-20°C ~ 70°C
FDC500026	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FD	125MHz	±50ppm	-20°C ~ 70°C
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HX7011C0025.000000	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ HX	25MHz	±25ppm	-40°C ~ 105°C
HX7011C0025.000000	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ HX	25MHz	±25ppm	-40°C ~ 105°C
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NX5011B0125.000000	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ NX	125MHz	±25ppm	-20°C ~ 70°C
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FNA000088Z	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FN	100MHz	±50ppm	-40°C ~ 85°C
FNA000088Z	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FN	100MHz	±50ppm	-40°C ~ 85°C
FNA000088Z	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FN	100MHz	±50ppm	-40°C ~ 85°C
FNA000065	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FN	100MHz	±25ppm	-20°C ~ 70°C
FNA000065	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FN	100MHz	±25ppm	-20°C ~ 70°C
FNA000065	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FN	100MHz	±25ppm	-20°C ~ 70°C
NX71C50003	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ NX	125MHz	±25ppm	-40°C ~ 85°C
NX71C50003	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ NX	125MHz	±25ppm	-40°C ~ 85°C
NX71C50003	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ NX	125MHz	±25ppm	-40°C ~ 85°C
FNC500131	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FN	125MHz	±50ppm	-40°C ~ 85°C

產品特性
1 ~ 156.25 MHz頻率范圍
<1 ps RMS抖動與基本或泛音的設計
3.3V CMOS兼容邏輯電平
用于標準回流和洗滌技術
低功耗待機模式:最大10 μA
無鉛和RoHS/綠色環保
產品描述
FJ系列晶體時鐘振蕩器實現卓越的抖動和穩定性在廣泛的范圍操作條件和頻率。輸出時鐘信號，內部產生一個非鎖相環振蕩器設計，是兼容的LVCMOS邏輯水平。該設備，可在磁帶和卷軸，包含在2.5 x 2.0mm陶瓷表面包。
應用程序
適用于緊湊、高密度的應用:
WLAN
HBA
便攜式多媒體播放器(PMP)
筆記本電腦
sdio / pcmia卡
USB BT接口
藍牙