低損耗的26M石英晶體振蕩器X1G005581004400，隨著經(jīng)濟(jì)的快速發(fā)展，有源晶振產(chǎn)品開(kāi)始頻頻出現(xiàn)與各大應(yīng)用平臺(tái)，由于有源晶振的穩(wěn)定性能以及耐壓性能更加優(yōu)于無(wú)源晶振，追求性能優(yōu)越的用戶首選當(dāng)然有源晶振。那該如何正確使用有源晶振呢，具體方法是怎樣的呢，值得我們?nèi)ヌ骄恳幌隆?br /> 有源晶振通常的用法：一腳懸空，二腳接地，三腳接輸出，四腳接電壓。有源石英晶振不需要CPU的內(nèi)部振蕩器，信號(hào)質(zhì)量好，比較穩(wěn)定，而且連接方式相對(duì)簡(jiǎn)單（主要是做好電源濾波，通常使用一個(gè)電容和電感構(gòu)成的PI型濾波網(wǎng)絡(luò)，輸出端用一個(gè)小阻值的電阻過(guò)濾信號(hào)即可），不需要復(fù)雜的配置電路。

愛(ài)普生晶振編碼	Model	Frequency	LxWxH	Output Wave	Supply Voltage	Ope Temperature	Freq. Tol.
X1G005581003500	SG-8018CB	14.745600 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005581003600	SG-8018CB	14.745600 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005581003700	SG-8018CB	12.288000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005581003800	SG-8018CB	12.288000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005581003900	SG-8018CB	33.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005581004000	SG-8018CB	33.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005581004100	SG-8018CB	30.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005581004200	SG-8018CB	30.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005581004300	SG-8018CB	26.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005581004400	SG-8018CB	26.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005581004500	SG-8018CB	24.576000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005581004600	SG-8018CB	24.576000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005581004700	SG-8018CB	100.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005581004800	SG-8018CB	100.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005581004900	SG-8018CB	4.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005581005000	SG-8018CB	4.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005581005100	SG-8018CB	66.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005581005200	SG-8018CB	66.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005581005300	SG-8018CB	19.660800 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005581005400	SG-8018CB	19.660800 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005581005500	SG-8018CB	125.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm

低損耗的26M石英晶體振蕩器X1G005581004400，有源晶振的缺陷是其信號(hào)電平是固定的，需要選擇好合適輸出電平，靈活性較差，而且價(jià)格高。有源晶振是由貼片石英晶體組成的，石英晶片之所以能當(dāng)為振蕩器使用，是基于它的壓電效應(yīng)：在晶片的兩個(gè)極上加一電場(chǎng)，會(huì)使晶體產(chǎn)生機(jī)械變形；在石英晶片上加上交變電壓，晶體就會(huì)產(chǎn)生機(jī)械振動(dòng)，同時(shí)機(jī)械變形振動(dòng)又會(huì)產(chǎn)生交變電場(chǎng)，雖然這種交變電場(chǎng)的電壓極其微弱，但其振動(dòng)頻率是十分穩(wěn)定的。當(dāng)外加交變電壓的頻率與晶片的固有頻率（由晶片的尺寸和形狀決定）相等時(shí)，機(jī)械振動(dòng)的幅度將急劇增加，這種現(xiàn)象稱(chēng)為“壓電諧振”。壓電諧振狀態(tài)的建立和維持都必須借助于振蕩器電路才能實(shí)現(xiàn)。

愛(ài)普生公司這款低損耗，高精密的SG-8018CB晶振，石英晶體振蕩器，編碼X1G005581004400，頻率26.000000兆赫，輸出WaveCMOS，供電電壓1.62至3.63 V，尺寸(長(zhǎng)×寬×高)5.00 × 3.20 × 1.30毫米，工作溫度-40到+105°C，頻率公差±50ppm，額外的OptionsN /，OSC TypeProgrammable Clock時(shí)鐘OSC，SG-8018系列振蕩器的頻率容忍度約為66%比同類(lèi)產(chǎn)品低50%的電流消耗，適用范圍廣環(huán)境條件.