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首頁行業(yè)博客 X1G005601012400可編程振蕩器專用于GPS定位器

X1G005601012400可編程振蕩器專用于GPS定位器

來源：http://www.fuleikeji.cn 作者：ciwa 2022年09月26

X1G005601012400可編程振蕩器專用于GPS定位器，愛普生公司自成立以來，一直處于技術的最前沿位置，作為一個領先者，不斷創(chuàng)造，不斷打造自身而有強的競爭力，開發(fā)了高性能的有源晶振，石英晶體振蕩器，貼片晶振等產品，具備超高的穩(wěn)定性能以及耐壓性能，其中所生產的這款SG-8018CG晶振，編碼X1G005601012400，頻率20.000000兆赫，輸出WaveCMOS，電源電壓1.62 ~ 3.63 V，尺寸(LxWxH)2.50 x 2.00 x 0.80 mm，工作溫度-40至+105°C，頻率公差±50ppm，額外的OptionsN /OSC類型可編程時鐘OSC，愛普生的SG-8018系列是具有CMOS輸出的可編程晶體振蕩器系列。而這個系列提供了相同的頻率和其他參數(shù)的簡單可編程性比較早SG-8002/SG-8003系列，它們還具有更寬的工作溫度范圍，最高極限為105°C，用于GPS定位器，5G模塊，藍牙音響等領域。

X1G005601012400可編程振蕩器專用于GPS定位器，石英晶體振蕩器的主要特性之一是工作溫度內的穩(wěn)定性，它是決定振蕩器價格的重要因素。穩(wěn)定性愈高或溫度范圍愈寬，器件的價格亦愈高。工業(yè)級標準規(guī)定的-40～+75℃這個范圍往往只是出于設計者們的習慣，倘若-30～+70℃已經夠用，那么就不必去追求更寬的溫度范圍。設計工程師要慎密決定特定應用的實際需要，然后規(guī)定振蕩器的穩(wěn)定度。指標過高意味著花錢愈多。

Product Number	進口晶振	Frequency	LxWxH	Output Wave	Supply Voltage	Ope Temperature	Freq. Tol.
X1G005601011100	SG-8018CG	63.055823 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005601011200	SG-8018CG	42.669354 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005601012200	SG-8018CG	74.250000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005601012300	SG-8018CG	13.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005601012400	SG-8018CG	20.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005601012900	SG-8018CG	12.568000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005601013000	SG-8018CG	6.940000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005601013100	SG-8018CG	3.072000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005601013200	SG-8018CG	6.780000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005601013300	SG-8018CG	13.560000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005601013400	SG-8018CG	27.120000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005601013500	SG-8018CG	4.096000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005601013600	SG-8018CG	54.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005601013900	SG-8018CG	7.372800 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005601014000	SG-8018CG	1.843200 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005601014100	SG-8018CG	11.289600 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005601014200	SG-8018CG	11.289600 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005601014300	SG-8018CG	14.318180 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005601014400	SG-8018CG	3.686400 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005601014500	SG-8018CG	3.686400 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005601014600	SG-8018CG	49.152000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm

晶體老化是造成頻率變化的又一重要因素。根據(jù)目標產品的預期壽命不同，有多種方法可以減弱這種影響。晶體晶振老化會使輸出頻率按照對數(shù)曲線發(fā)生變化，也就是說在產品使用的第一年，這種現(xiàn)象才最為顯著。例如，使用10年以上的晶體，其老化速度大約是第一年的3倍。采用特殊的晶體加工工藝可以改善這種情況，也可以采用調節(jié)的辦法解決，比如，可以在控制引腳上施加電壓(即增加電壓控制功能)等。

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