晶振中心
進(jìn)口晶振
- SMI晶振
- KDS晶振
- 精工晶振
- 西鐵城晶振
- 愛普生晶振
- 村田晶振
- 日本NDK晶體
- 京瓷晶振
- 臺灣TXC晶振
- 泰藝晶振
- 亞陶晶振
- 希華晶體
- 臺灣津綻晶體
- 美國CTS石英晶振
- 加高晶體
- 大河晶振
- 鴻星晶振
- 富士石英晶體
- AKER晶振
- Lihom晶振
- NAKA晶振
- NKG晶振
- NJR晶振
- Sunny晶振
石英晶體諧振器
歐美晶振
- Abracon晶振
- ECS晶振
- Golledge晶振
- ILSI晶振
- FOX晶振
- fujicom晶振
- AEK晶振
- CRYSTEK晶振
- interquip晶振
- Geyer晶振
- quartzcom晶振
- qantek晶振
- EUROQUARTZ晶振
- quarztechnik晶振
- Cardinal晶振
- FRE-TECH晶振
- KVG晶振
- wi2wi晶振
- AEL晶振
- Transko晶振
- suntsu晶振
- mmdcomp晶振
- MERCURY晶振
- MTRONPTI晶振
- RALTRON晶振
- Microcrystal晶振
- SITIME晶振
- IDT晶振
- Pletronics晶振
- STATEK晶振
- Rakon晶振
- ConnorWinfield晶振
- JAUCH晶振
- VECTRON晶振
- Greenray晶振
- ECLIPTEK晶振
- ACT晶振
- MTI-milliren晶振
- Rubyquartz晶振
- Oscilent晶振
- SHINSUNG晶振
- ITTI晶振
- PDI晶振
- IQD晶振
- Microchip晶振
- Silicon晶振
- Fortiming晶振
- CORE晶振
- NIPPON晶振
- NICKC晶振
- QVS晶振
- Bomar晶振
- Bliley晶振
- GED晶振
- FILTRONETICS晶振
- STD晶振
- Q-Tech晶振
- Anderson晶振
- Wenzel晶振
- NEL晶振
- EM晶振
- PETERMANN晶振
- FCD-Tech晶振
- HEC晶振
- FMI晶振
- Macrobizes晶振
- AXTAL晶振
- ARGO晶振
- Skyworks晶振
- Renesas瑞薩晶振
數(shù)碼產(chǎn)品
智能家電
時計產(chǎn)品
車載產(chǎn)品
石英晶體振蕩器
- 編號：97524358
- 頻率：13~52MHz
- 尺寸：2.5*2.5mm
NAKA晶振,壓控溫補(bǔ)振蕩器,TC250壓電石英晶振
壓控溫補(bǔ)晶振(VC-TCXO),壓控溫補(bǔ)石英晶體振蕩器基本解決方案,PECL輸出,輸出頻率13MHz到52MHz之間,出色的低相位噪聲和抖動,三態(tài)功能,應(yīng)用:SDH/SONET,以太網(wǎng),基站,筆記本晶振應(yīng)用,符合RoHS/無鉛.VCXO壓控晶體應(yīng)用:調(diào)制解...
.jpg)
NAKA晶振,壓控溫補(bǔ)振蕩器,TC250壓電石英晶振.貼片石英晶體,體積小,焊接可采用自動貼片系統(tǒng),產(chǎn)品本身小型,表面貼片晶振,特別適用于有小型化要求的電子數(shù)碼產(chǎn)品市場領(lǐng)域,因產(chǎn)品小型,薄型優(yōu)勢,耐環(huán)境特性,包括耐高溫,耐沖擊性等.
晶振的真空封裝技術(shù):是指SMD晶振在真空封裝區(qū)域內(nèi)進(jìn)行封裝.1.防止外界氣體進(jìn)入組件體內(nèi)受到污染和增加應(yīng)力的產(chǎn)生;2.使晶振組件在真空下電阻減小;3.氣密性高.此技術(shù)為研發(fā)及生產(chǎn)超小型、超薄型石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一.
TXC,NDK,希華.jpg)
NAKA晶振集團(tuán)主要以晶振Crystal,電子元件,三端穩(wěn)壓管,LED照明,高壓電容器,薄膜電容器等產(chǎn)品的生產(chǎn)與開發(fā),在于2013年開始處理,軟件的開發(fā),今后在有線、無線通信設(shè)備的本公司商品化目標(biāo).今后更能迅速滿足市場的需求,不斷提高晶振精度及擴(kuò)展晶振頻率范圍.目前針對中國市場主要以壓控晶振,壓控溫補(bǔ)晶振,高精度晶振,無源晶振,石英晶體諧振器,有源晶振系列產(chǎn)品作為主打的晶振廠家.
格發(fā)TXC,NDK,希華.jpg)
| 晶振項目 | 符號 | 產(chǎn)品規(guī)格 |
|---|---|---|
| 標(biāo)稱頻率 | f_nom | 13~52MHz |
| 頻率公差 | ppm | ±2.0,±1.0,±0.5,±1.5,±2.5ppm |
| 輸出條件 | Clipped Sine Wave | |
| 電源電壓 | Vcc | +1.8V,+2.5V,+2.8V |
| 負(fù)載電容 | CL | 20pF |
| 串聯(lián)電阻（ESR） | R1 | 70kΩ Max. |
| 絕對最大驅(qū)動電平 | DLmax. | 0.5μW Max. |
| 驅(qū)動電平 | DL | 0.1μW typ. |
| 并聯(lián)電容 | C 0 | 1.0pF typ. |
| 頻率老齡化 | f_age | ±3x 10-6/Year |
| 工作溫度 | T_use |
−20ºC to +70ºC −30ºC to +85ºC −40ºC to +85ºC |
| 儲藏溫度 | T_stg | −50ºC to +125ºC |
TXC,NDK,希華.jpg)
噪音
在電源或輸入端上施加執(zhí)行級別(過高)的不相干(外部的)噪音,可能導(dǎo)致會引發(fā)貼片晶振功能失?；驌舸┑拈]門或影響實際的晶振參數(shù)及晶振精度.
電源線路
電源的線路阻抗應(yīng)盡可能低.
輸出負(fù)載
建議將輸出負(fù)載安裝在盡可能靠近石英振蕩器的地方(在20mm范圍之間).
在一個不同擴(kuò)張系數(shù)電路板(環(huán)氧玻璃)上焊接陶瓷諧振器產(chǎn)品時,在溫度長時間重復(fù)變化時可能導(dǎo)致端子焊接部分發(fā)生斷裂,請事先檢查焊接特性.
自動安裝和真空化引發(fā)的沖擊會破壞石英晶體振蕩器特性并影響這些進(jìn)口晶體振蕩器.請設(shè)置安裝條件以盡可能將沖擊降至低,并確保在安裝前未對產(chǎn)品特性產(chǎn)生影響.
加熱包裝材料至+150°C以上會破壞產(chǎn)品特性或損害諧振器.如需在+150°C以上焊接晶振產(chǎn)品,建議使用SMD晶振.
在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長時間保存進(jìn)口石英晶體諧振器產(chǎn)品時,會影響頻率穩(wěn)定性或焊接性.請在正常溫度和濕度環(huán)境下保存這些晶振產(chǎn)品,并在開封后盡可能進(jìn)行安裝,以免長期儲藏.
納卡石英晶振堅持在發(fā)展中保護(hù)、在保護(hù)中發(fā)展,積極探索環(huán)境保護(hù)新道路,切實解決影響科學(xué)發(fā)展和損害群眾健康的突出環(huán)境問題,全面開創(chuàng)環(huán)境保護(hù)工作新局面.
充分認(rèn)識加強(qiáng)環(huán)境保護(hù)工作的重要性和緊迫性,把環(huán)境保護(hù)擺在更加重要的戰(zhàn)略位置,以對國家、對民族、對子孫后代高度負(fù)責(zé)的精神,切實做好環(huán)境保護(hù)工作,推動經(jīng)濟(jì)社會全面協(xié)調(diào)可持續(xù)發(fā)展.
納卡晶振公司提供從材料的選定到廢棄過程中考慮環(huán)境質(zhì)量的產(chǎn)品.加強(qiáng)制度建設(shè),深化環(huán)境監(jiān)管,向環(huán)境污染宣戰(zhàn),促進(jìn)經(jīng)濟(jì)與環(huán)境協(xié)調(diào)發(fā)展.
積極參與公司內(nèi)部活動和地區(qū)環(huán)境改善活動,為社會做出貢獻(xiàn),實現(xiàn)公司的社會責(zé)任.實施公司內(nèi)部環(huán)境培訓(xùn)和訓(xùn)練,推進(jìn)防污染和環(huán)?；顒?遵守國內(nèi)外法律,遵守與客戶和地區(qū)的約定事項,與日常業(yè)務(wù)相融合,努力開展繼續(xù)改善環(huán)境的工作.
創(chuàng)造并提供專研了“省、小、精”的32.768K鐘表晶振,溫補(bǔ)晶振,石英晶振,有源晶振,壓控溫補(bǔ)振蕩器等水晶元器件及其關(guān)聯(lián)產(chǎn)品；并且構(gòu)筑和革新既可以降低環(huán)境負(fù)荷又可以提高生產(chǎn)性的生產(chǎn)流程的活動.
系熱線.jpg)
深圳市康華爾電子有限公司SHENZHEN KONUAER ELECTRONICS CO.,LTD
電 話：0755-27838351
手 機(jī)：13823300879
Q Q：632862232
E-mail：konuaer@163.com
網(wǎng) 址：http://www.fuleikeji.cn
地 址：廣東深圳市寶安寶安大道東95號浙商銀行大廈1905
業(yè)務(wù)經(jīng)理
