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首頁(yè)新聞中心 VTC萬(wàn)隆晶振PO301系列用于CMOS和TTL表面貼裝應(yīng)用

VTC萬(wàn)隆晶振PO301系列用于CMOS和TTL表面貼裝應(yīng)用

來(lái)源:http://www.fuleikeji.cn 作者:康華爾電子 2024年04月18
VTC萬(wàn)隆晶振PO301系列用于CMOS和TTL表面貼裝應(yīng)用
VTC萬(wàn)隆科技有限公司為通信、工業(yè)、軍事和航天應(yīng)用提供廣受歡迎的頻率控制和射頻產(chǎn)品。自1994年以來(lái),我們成功地為海外客戶提供了服務(wù)。產(chǎn)品包括石英晶振晶體、晶體振蕩器、聲表面波諧振器、聲表面波濾波器、微波陶瓷電介質(zhì)以及各種相關(guān)陶瓷產(chǎn)品。我們致力于高質(zhì)量和尊重的服務(wù)。
新型表面貼裝晶體振蕩器
VTC萬(wàn)隆晶振公司設(shè)計(jì)用于CMOS和TTL表面貼裝應(yīng)用。
VTC萬(wàn)隆科技有限公司推出了一款新的表面貼裝晶體振蕩器,專為CMOS和TTL表面貼裝應(yīng)用而設(shè)計(jì)。這些器件采用超小型表面貼裝無(wú)鉛陶瓷封裝,尺寸為7.0毫米x5.0mm毫米x1.75mm毫米貼片晶振
表面貼裝晶體振蕩器(PO301和PO302系列)非常小,具有低剖面,頻率范圍為1.5440MHz至100.0000MHz固定頻率振蕩器的典型用途是為磁盤驅(qū)動(dòng)器和計(jì)算機(jī)應(yīng)用中的數(shù)字信號(hào)處理芯片和微處理器提供時(shí)鐘信號(hào)。
萬(wàn)隆科技集團(tuán)設(shè)計(jì)、制造和銷售頻率控制產(chǎn)品,采用從DC到微波頻率的標(biāo)準(zhǔn)石英晶體和表面聲波(SAW)設(shè)計(jì)的最新技術(shù)。產(chǎn)品包括石英晶體和晶體振蕩器、聲表面波濾波器和聲表面波諧振器,以及用于電信和數(shù)據(jù)通信應(yīng)用的陶瓷產(chǎn)品。
VTC為石英晶體、石英晶體振蕩器、VCXOs、晶體濾波器、SAW器件、壓電陶瓷器件和其他定時(shí)器件提供最廣泛的產(chǎn)品系列,涵蓋封裝類型和頻率范圍,通過(guò)ISO認(rèn)證和世界一流的制造,它們能夠很好地支持頻率控制領(lǐng)域不斷增長(zhǎng)的需求
晶體振蕩器,一種晶體控制振蕩器,提供精確的上升和下降時(shí)間來(lái)驅(qū)動(dòng)TTL或CMOS邏輯器件。兼容CMOS和TTL,頻率范圍從1MHz到100MHz。器件采用14引腳DIL或8引腳DIL兼容全尺寸或半尺寸電阻焊接全金屬外殼封裝。

Products Outline Frequency Range Features
PO300F 20.8x13.1x5.1 1.0MHz ~ 100.0MHz - Stability: ±25ppm to ±100ppm
- Supply Voltage: 5.0V or 3.3V
- Output Logic: TTL and CMOS
- Rise and Fall Time: 6nS max
- Symmetry: 45/55%
- Start-Up Time: 10mS max
- Full-Size DIL-14
PO300H 13.1x13.1x5.1 1.0MHz ~ 100.0MHz - Stability: ±25ppm to ±100ppm
- Supply Voltage: 5.0V or 3.3V
- Output Logic: TTL and CMOS
- Rise and Fall Time: 6nS max
- Symmetry: 45/55%
- Start-Up Time: 10mS max
- Half-Size DIL-8
PO303 DIL-14 1.0MHz ~ 160.0MHz - High Stability Second-Package Oscillator
- Stability: ±5ppm to ±30ppm
- Supply Voltage: 5.0V or 3.3V
- Output Logic: TTL and CMOS
- Rise and Fall Time: 6nS max
- Symmetry: 45/55%
- Start-Up Time: 10mS max
- DIL-14
PO320 7.0x5.0x1.3 0.048MHz ~ 133.000MHz - Stability: ±20ppm to ±100ppm
- Supply Voltage: 2.5V to 5.0V
- Output Logic: TTL and CMOS
- Rise and Fall Time: 3nS to 10nS max
- Symmetry: 45/55%
- Start-Up Time: 8mS max
- Ceramic SMD
PO321 5.0x3.2x1.2 0.3456MHz ~ 125.000MHz - Stability: ±20ppm to ±50ppm
- Supply Voltage: 2.5V to 5.0V
- Output Logic: TTL and CMOS
- Rise and Fall Time: 3nS to 10nS max
- Symmetry: 45/55%
- Start-Up Time: 8mS max
- Ceramic SMD
PO322 5.0x3.2x1.15 1.5MHz ~ 55.0MHz - Stability: ±10ppm to ±20ppm
- Supply Voltage: 3.3V, 5.0V
- Output Logic: TTL and CMOS
- Rise and Fall Time: 6nS max
- Symmetry: 45/55%
- Start-Up Time: 8mS max
- Ceramic SMD

VTC萬(wàn)隆晶振PO301系列用于CMOS和TTL表面貼裝應(yīng)用
術(shù)語(yǔ)表
頻率:周期性現(xiàn)象隨時(shí)間發(fā)生的速率。頻率低于1.0MHz時(shí)用千赫(kHz)表示,頻率高于1.0MHz時(shí)用兆赫(MHz)表示。
耐受性和穩(wěn)定性:頻率控制產(chǎn)品規(guī)格的三個(gè)主要組成部分是:
●室溫(25°C)下的校準(zhǔn)容差
●溫度范圍內(nèi)的穩(wěn)定性
●老化
室溫校準(zhǔn)是對(duì)+25°c溫度下頻率精度的測(cè)量。進(jìn)口晶振晶體頻率通過(guò)改變電極質(zhì)量在規(guī)定的容差范圍內(nèi)進(jìn)行調(diào)整。較低的頻率對(duì)質(zhì)量變化不太敏感,因此更容易保持更嚴(yán)格的公差。公差和穩(wěn)定性以百萬(wàn)分之一(ppm)為單位。
負(fù)載電容:負(fù)載電容是通過(guò)晶振端子測(cè)量或計(jì)算的總電路的動(dòng)態(tài)電容。
等效串聯(lián)電阻:在指定的晶體阻抗計(jì)中運(yùn)行時(shí),裝置的等效歐姆電阻,針對(duì)額定驅(qū)動(dòng)電平進(jìn)行調(diào)整,并調(diào)諧至指定的晶體裝置頻率。
驅(qū)動(dòng)級(jí)別:工作驅(qū)動(dòng)電平是晶體坯內(nèi)部消耗的功率。
老化:老化是一個(gè)通用術(shù)語(yǔ),用于描述晶體單元的工作特性隨時(shí)間的推移而逐漸退化。
雜散模式:所有石英晶體都有多種振動(dòng)模式。雜散模式是指那些不需要的模式,如果響應(yīng)與主模式一樣強(qiáng),可能會(huì)造成問(wèn)題。
輸出電壓電平:在數(shù)字邏輯中,電壓電平用邏輯“0”和邏輯“1”來(lái)表示。這些電平因應(yīng)用所需的輸出邏輯類型而異。
對(duì)稱性:對(duì)稱性被定義為電壓處于邏輯“1”狀態(tài)的時(shí)間與處于邏輯“0”狀態(tài)的時(shí)間的比率。測(cè)量在兩個(gè)邏輯狀態(tài)之間電壓轉(zhuǎn)換的50%點(diǎn)進(jìn)行。
 
 
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此文關(guān)鍵字: CMOS晶體振蕩器
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32.768KHZ晶振,DST210AKDS晶振,KDS晶振32.768KDST310S,石英晶體振蕩器DSB211SDTKDS晶振,KDS晶振DSX221S,KDS晶振DSX321SH,KDS晶振DSX321G,DMX-26SKDS晶振,32.768KHZ晶振,MC-146愛(ài)普生晶振,MC-306愛(ài)普生晶振,FC-135愛(ài)普生晶振,FC-12D愛(ài)普生晶振,TSX-3225愛(ài)普生晶振,FA-20H愛(ài)普生晶振,FA-118T愛(ài)普生晶振,FA-238V愛(ài)普生晶振,SA324CTS晶振,石英晶體振蕩器CTS晶振,石英晶體振蕩器CB2V5CTS晶振,溫補(bǔ)晶振Model585CTS晶振,溫補(bǔ)晶振DSB221SDNKDS晶振,溫補(bǔ)晶振7LTXC晶振,;
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